IGFET

Engl. Abk. für insulated gate field effect transistor, Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate. Isolierschicht-FET, Oberflächen-FET. Feldeffekttransistor, bei dem über das durch ein Dielektrikum isolierte Gate die Leitfähigkeit des Kanals zwischen Source und Drain durch Ladungsträgerinfluenz gesteuert wird. Man unterscheidet Dünnschichttransistoren (Dünnschichtschaltung) und MISFET. Dünnschichttransistoren haben aufgrund ihrer instabilen Parameter bis heute keine praktische Bedeutung erlangt. Die MISFET sind somit die einzigen produktionswirksam gewordenen diskreten und integrierten I. Teilweise werden deshalb auch die Begriffe I. und MISFET synonym verwendet.

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