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MISFET

Engl. Abk. für metal insulator semiconductorfield effect transistor, Feldeffekttransistor miteiner Metall- Isolator- Halbleiter-Struktur. IGFET mit einem Gate aus Metall oder polykristallinem Silicium f Silicon-Gate-Technik). Der M. auf Basis von Silicium, insbesondere in Form des MOSFET, ist das gebräuchlichste Bauelement der Unipolartechnik, weil er neben seiner Funktion als Transistor noch als Widerstand, Diode oder Speicherelement in IS angewendet werden kann (Widerstand, integrierter, Diode, integrierte). Er kann als Depletion- oder Enhancement-Transistor jeweils als n-Kanal- oder p-Kanal-Transistor arbeiten. M. werden in Planartechnik hergestellt. Die Länge des Kanals ist normalerweise 5 bis 10 m, bei den modernen Kurzkanal-Techniken bis herab zu 0, 5 m. Als Gate-Dielektrikum wird Siliciumdioxid (Si02), Si-liciumnitrid (Si3N4), seltener Aluminiumoxid (A1203) verwendet. Ist das Dielektrikum ein Oxid, wird der M. als MOSFET bezeichnet; im engeren Sinn nur bei Nutzung des Eigenoxids (bei Silicium als Halbleiterwerkstoff Si02). Spezielle Speicher-M. sind der MNOS-Tran-sistor (MNOS-Technik) und der FAMOS-Transistor (FAMOS-Technik). M. zeichnen sich durch einen besonders hohen Eigenwiderstand (108 bis 1012 ü) und geringes Eigenrauschen aus. Die historisch gewachsene Bezeichnung als MISFET durch die früher ausschließlich verwendete Metall-Gate-Technik wurde auch bei Einführung der Silicon-Gate-Technik beibehalten.

 

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Misessche Theorie
Misonne Leonard

 

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Weitere Begriffe : mittlerer Aktivitätskoeffizient | Differentialoperator | MHD-Generator

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