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isotropes Ätzen

Siliziumätzverfahren, wobei die Ätzrate unabhängig von der Kristallrichtung des Siliziums ist. Allgemein bestehen isotrope Ätzlösungen aus einer oxidierenden und einer oxidlösenden Komponente. Als besonders geeignet hat sich das Ätzsystem Flusssäure-Salpetersäure (HF-HNO3) erwiesen. Zur Verdünnung werden entweder Wasser oder Essigsäure beigemischt. In dem zweistufigen Ätzprozess wird zuerst das Si durch die HNO3 zu SiO2 oxidiert, welches nachfolgend durch die HF gelöst wird. Isotrope elektrochemische Ätzverfahren gestatten das Ätzen dünner Membranen. Bei anodischer Vorspannung können n+- und p-dotierte Schichten selektiv gegen n-Schichten geringer Dotierung geätzt werden. Mittels isotropen Ätzens können runde Strukturen und Strukturen mit beliebigen Winkeln zur Kristallrichtung erzeugt werden.

 

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