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Kapazität parasitäre

Parasitäres kapazitives Element, das hauptsächlich in monolithisch integrierten Schaltun gen und in Höchstfrequenzbauelementen von Bedeutung ist und deren frequenzabhängige Parameter negativ beeinflußt (Bauelement, parasitäres). Bei IS entstehen p. K. in erster Linie durch die Sperrschichtkapazität von Halbleiterübergängen, z. B. von einem l pn-Über-gang, der zur Sperrschichtisolation in monolithischen IS (IS, monolithische) verwendet wird. Weil sie beim Schaltvorgang zusätzlich mit umgeladen werden müssen, führen sie zur Vergrößerung der Schaltzeiten (Schaltgeschwindigkeit) von digitalen IS (IS, digitale). Dadurch erfolgt eine Verringerung der maximal möglichen Arbeitsfrequenz. In ähnlicher Weise werden bei den auf Feldeffekttransistoren basierenden Höchstfrequenz-Halbleiterbauelementen (GaAs-FET, MMIC) die oberen Grenzfrequenzen und bei den Höchst-geschwindigkeits-IS (MESFET-Technik; Gigabit-Logik) die Gatter-Verzögerungszeiten durch die Gate-Source-Kapazität Cgs der FET verschlechtert. Bei analogen Anwendungen (Analogtechnik) wirkt sich diese p. K. darüber hinaus nachteilig auf das Rauschen aus. Alle diese parasitären Elemente müssen im Ersatzschaltplan zur Berechnung der frequenzabhängigen Parameter (Verstärkungs-Bandbreite-Produkt, Rauschen) berücksichtigt werden. P. K. lassen sich nur teilweise verhindern, z. B. durch die Verwendung nichtleitender Substrate (Substrat, semiisolierendes).

 

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