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Mehrschichtbauelement

Sammelbezeichnung für alle steuerbaren Halbleiterbauelemente, die mehr als zwei pn-Übergange haben. Zu den M. zählen die Thyristoren, Tri-acs und Diacs. Sie haben alle die Eigenschaft, daß sie entweder durch ein bestimmtes Potential am Steueranschluß (engl. gate) oder durch das Überschreiten einer bestimmten AnodenKatoden-Spannung vom nichtleitenden in den leitenden Zustand geschaltet werden können. Als Halbleiterwerkstoff dient ausschließlich Silizium. Der Begriff M. bezieht sich mehr auf den schematischen Aufbau der Bauelemente als auf die technische Realisierung, da die M. im Normalfall nicht aus durchgängigen Schichten, sondern z. B. aus in ein Substrat eindiffundierten Gebieten bestehen.

 

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