Oxid-Isolation

Isolationstechnik, bei der die Funktionselemente durch Siliciumdioxid (Si02) voneinander isoliert werden. Bei der O. erfolgt die laterale Isolation(Lateralstruktur) der einzelnen Funktionselemente durch SiOrSchichten. Diese werden durch selektive, lokale Oxydation der Siliciumoberfläche erzeugt, wobei durch geeignete Maskierungs- und Strukturierungs-schritte erreicht wird, daß das Oxid praktisch in das Substrat hineinwächst. Auf diese Weise entsteht eine fast plane (ebene) Oberfläche. Es gibt eine Reihe spezieller Varianten, bei denen die lokale Oxydation zur Herstellung bipolarer IS (IS, bipolare) angewendet wird. Ein typisches Beispiel ist das LOCOS-Verfahren. Verwandte Ausführungen sind z. B. das PLANOX- und das ISOPLANAR-Verfahren.

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