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LOCOS-Verfahren

Engl. Abk. für local oxidation of Silicon, lokale Oxydation von Silicium. Spezielles Verfahren zur Oxid-Isolation von monolithischen IS. Beim >L. wird die angestrebte Isolationsmethode mit einer speziellen Maskierungsfolge erreicht (Planartechnik): Das Substrat wird zuerst mit einer dünnen Siliciumnitrid-(Si3N4-)Schicht, danach mit Siliciumoxid (Si02) bedeckt, wobei letzteres als Ätzmaske für das Si3N4 dient. Die Strukturierung erfolgt so, daß diejenigen Gebiete von Si3N4 frei bleiben, die später nicht oxydiert werden sollen. Mittels thermischer • Oxydation werden relativ dicke Oxidschichten erzeugt. Durch geeignete Ätzschritte läßt sich abschließend eine plane Oberfläche erzeugen. Das Herstellen der gewünschten Funktionselemente erfolgt nun im Oxidfenster, wobei das seitlich liegende Si02 später die Isolation bewirkt.

 

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Lockyer
LODESR

 

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