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p-n-Kontakt

Elektronik, Halbleiterphysik, Übergang zwischen einem p-dotierten und einem n-dotierten Halbleiter. Technisch wird er immer dadurch realisiert, dass auf einem bereits dotierten Substrat eine Zone der entgegengesetzten Dotierung erzeugt wird. Mögliche Techniken sind die Diffusionsdotierung (erhitztes Substrat wird einem mit den Dotierungsatomen angereicherten Trägergas ausgesetzt), die Ionenimplantation (Substrat wird mit ionisierten Dotierungsatomen bestrahlt) oder epitaktisches Aufdampfen, bei dem dem Gasstrom die Dotierungsatome beigefügt werden. Zur Erzeugung ultrakleiner Strukturen, wie sie im Mikrochip benötigt werden, wird die Photolithographie verwendet.

 

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