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Source-Schaltung

Elektronik, Halbleiterphysik, Grundschaltung des Feldeffekttransistors, bei der der Source-Anschluss der Bezugspunkt ist und das Signal am Gate liegt, analog zur Emitterschaltung des Bipolar-Transistors. Der Eingangswiderstand ist infolge des isolierten Gates beim Sperrschicht-Feldeffekttransistor sehr hoch und beim MOS-Feldeffekttransistor extrem hoch. Bei hohen Frequenzen muss jedoch die Eingangskapazität berücksichtigt werden. Im Unterschied zur exponentiellen Übertragungskennlinie des Bipolar-Transistors ist sie hier quadratisch. Die Verstärkung v ist analog zur Emitterschaltung v = -SRD (S: Steilheit, RD: Arbeitswiderstand am Drain-Anschluss). S erreicht nur Werte bis etwa 10 mA / V bei einigen mA Drain-Strom.

 

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Source
SOZ

 

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Weitere Begriffe : Read-Diode | Blendenreflex | ionenakustische Welle

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