Techniklexikon

Source-Schaltung

Elektronik, Halbleiterphysik, Grundschaltung des Feldeffekttransistors, bei der der Source-Anschluss der Bezugspunkt ist und das Signal am Gate liegt, analog zur Emitterschaltung des Bipolar-Transistors. Der Eingangswiderstand ist infolge des isolierten Gates beim Sperrschicht-Feldeffekttransistor sehr hoch und beim MOS-Feldeffekttransistor extrem hoch. Bei hohen Frequenzen muss jedoch die Eingangskapazität berücksichtigt werden. Im Unterschied zur exponentiellen Übertragungskennlinie des Bipolar-Transistors ist sie hier quadratisch. Die Verstärkung v ist analog zur Emitterschaltung v = -SR_D (S: Steilheit, R_D: Arbeitswiderstand am Drain-Anschluss). S erreicht nur Werte bis etwa 10 mA / V bei einigen mA Drain-Strom.