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MOS-Feldeffekttransistor

Elektronik, Halbleiterphysik, Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET, ein Feldeffekttransistor, bei dem die Ladungsträgerdichte in einem leitenden Kanal mit einer durch eine Oxidschicht isolierten Gate-Schaltung gesteuert wird. Durch eine positive Gate-Spannung UGS werden unter dem Gate Elektronen angereichert (selbstsperrender Typ, Anreicherungstyp, enhancement type). Ab einer bestimmten Spannung überwiegt die Elektronendichte die Löcherdichte, wodurch sich zwischen Source und Drain ein n-Kanal ausbildet, dessen Leitfähigkeit durch die Gate-Spannung gesteuert wird. Der Kanal verhält sich in Abhängigkeit von der Drain-Source-Spannung UDS in der gleichen Weise wie beim Sperrschicht-Feldeffekttransistor. Die Kennlinien sind daher von der gleichen Art wie dort. Durch geeignete Herstellungsmassnahmen kann auch bei UGS = 0 bereits ein leitender Kanal vorhanden sein (selbstleitender Typ, Verarmungstyp, depletion type). Statt eines n-Kanal-MOSFETs kann durch umgekehrte Dotierung von Substrat, Source und Drain ein p-Kanal-MOSFET hergestellt werden, so dass es vier verschiedene MOSFET-Typen gibt.

 

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