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Spreading-Resistance-Effekt

Engl. spreading resistance, Ausbreitungswider-stand. Physikalische Eigenschaft im dotierten Silicium, die auf der Abhängigkeit der Beweglichkeitfreier Ladungsträger von der Temperatur beruht. Ist die Anzahl der Dotierungsatome etwa gleich der Anzahl freier Ladungsträger in einem p- oder n-dotierten Siliciumkristall, hängt der spezifische Kristallwiderstand q von der Ladungsträgerbeweglichkeit und damit von der Temperatur ab: q Kristallwiderstand; e Elementarladung; B Ladungsträgerbeweglichkeit; TV Dotierungskonzentration. Die Temperaturabhängigkeit verläuft in einem Bereich von etwa -50 bis + 150°C annähernd linear. Dieses Phänomen wird in Temperatursensoren ausgenutzt. Bei höheren Temperaturen überwiegt dann die dotierungsempfindliche Eigenleitung im Silicium, und der Widerstand fällt mit steigender Temperatur ab.

 

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