Eigenleitung

Intrinsische Leitung (engl. intrinsic conduc-tion. Abk. i-Leitung. Vorgang der Stromleitung in einem völlig reinen Halbleiter (Eigenleiter).

Voraussetzung für (ideale) E. ist, daß der Halbleiter nicht mit Fremdatomen dotiert ist und auch sonst keine Störstellen im Gitter enthält (i-Halbleiter). Dann treten Paare von Elektronen und Defektelektronen (Löchern) stets gleichzeitig auf. Mit wachsender Temperatur des Kristalls steigt die Zahl der durch thermische Anregung erzeugten freien Ladungsträger exponentiell an (Generation), d. h., ihre Dichte bei E., die Eigenleitungsdichte n„ ist durch die jeweilige Temperatur festgelegt. Dabei sind Elektronendichte n und Löcherdichte p genau gleich groß (n, = n = p). Der gesamte durch den Halbleiter fließende Strom ergibt sich auch hierbei als Summe von Elektronenstrom und Löcherstrom (Leitfähigkeit, spezifische). Wegen der unterschiedlichen Ladungsträgerbeweglichkeiten dominiert i. allg. jedoch der Stromanteil durch Elektronenleitung gegenüber dem Anteil durch Löcherleitung. (Die Intrinsic-Leitfähigkeit ergibt sich folglich aus der Eigenleitungskonzentration ij. Sie beträgt bei Raumtemperatur (300 K) z. B. für Silicium etwa 5-10_6S-cm ’ und für Galliumarsenid etwa 2, 5-10" S- cm1.)

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