V-ATE-Verfahren

Engl. Abk. für vertical anisotropic etching. vertikales anisotropes Ätzen. Isolations technik, bei der die Funktionselemente durch Trennfugen (Luft als Dielektrikum) voneinander isoliert werden. Beim V. wird die stark ausgeprägte Richtungsabhängigkeit (Anisotropie) des Ätzvorgangs mit bestimmten Ätzmitteln ausgenutzt. Im Silicium mit (lOO)-Oberfläche (Kristallorientierung) entstehen dadurch V-förmige Gruben mit einem feststehenden Neigungswinkel. Somit hängt die Grubentiefe nur von der Fensterweite in der Si02-Ätzmaske ab und kann genau vorgegeben werden. Ätzt man in ein p-Substrat mit vergrabener Schicht nach der p-Basisdiffusion auf diese Weise bis in das r Substrat hinein, so werden die einzelnen n-Inseln seitlich voneinander getrennt. Das V. eignet sich für bipolare und unipolare IS und wird insbesondere in der VMOS-Technik angewendet.