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VMOS-Technik

Engl. Abk. für V-groove MOS, V-Graben MOS-Struktur, MOS Technik, die auf dem VATE-Verfahren basiert. Die V. ist durch V-förmig eingeätzte Vertiefungen gekennzeichnet, die jeweils das Gate des MOSFET enthalten. Integrierte VMOS-Transistoren haben üblicherweise einen lateralen Kanal und werden vor allem in Halbleiterspeichern mit hoher Packungsdichte angewendet. Demgegenüber ist bei diskreten VMOS-Transistoren der Kanalverlauf vertikal, so daß sie oft auch als Vertikal-MOSFET bezeichnet werden. Beide VMOS-Varianten haben den Vorteil, daß trotz relativ großer Lateralstrukturen kleine Kanallängen erzeugt werden können (Kurzkanaltechnik).

 

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Weitere Begriffe : Grenzschicht | Ölalterung | Avalanche-Diode

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