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Verfahren selbstjustierendes

Verfahren zur Verbesserung der Überdek-kungsgenauigkeit zweier lithografischer (Lithografie) Ebenen durch Verwendung ein und derselben Maske. Die Genauigkeit des Justierens beeinflußt sowohl die erreichbare minimale Strukturgröße als auch die Ausbeute einer —> IS. Daher versucht man für kritische lithografi-sche Ebenen, wie die Gatestrukturierung in der MOS-Technik, V. einzusetzen. Dabei wird ein und dieselbe Maske zur Strukturierung zweier Ebenen bzw. in zwei Prozeßschritten verwendet.

 

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Weitere Begriffe : Neutrino-Elektron-Streuung | Kraftstoff-Absperrvorrichtung | Unipolarinduktion

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