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Lithografie

Griech., Steindruck. Herstellung einer Maske auf dem Wafer durch Struktu rierung eines Resists und selektiver Materialabtragung mit Hilfe dieser Maske. Die Teilschrittfolge der L. wird als lithografi-scher Prozeß bezeichnet. Der Materialabtrag erfolgt durch Ätzverfahren oder durch Abhebetechnik. Man unterscheidet nach der für die Resiststrukturierung (Herstellung einer Lackmaske) verwendeten Strahlung zwischen Fotolithografie, Elektronen-strahl-L., Röntgenstrahl-L. und Ionen-strahl-L. Die Foto-L., das gegenwärtig bedeutendste Verfahren, ist das Muster für die anderen Verfahren. Bei der Herstellung von IS sind etwa 10 lithografische Schritte notwendig. Die Leistungsfähigkeit der L. (Überdeckungsgenauigkeit, realisierbare minimale Strukturgröße, erzeugte Defektdichte) bestimmt den erreichbaren Integrationsgrad und die Ausbeute und damit die Kosten der hergestellten Bauelemente.

 

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Weitere Begriffe : Galgen | statistisches Rauschen | Ladungsaustauschrekombinationsspektroskopie

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