A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

 

 

MOSFET

Engl. Abk. für metal oxide semiconductorfield effect transistor, Feldeffekttransistor miteiner Metall-Oxid-Halbleiter-Struktur. MISFET, dessen Dielektrikum zwischen Gate und Halbleiter aus dem Eigenoxid des Substratwerkstoffs besteht. Der M. auf der Basis von Silicium ist das am meisten angewendete Bauelement derUnipolartechnik. Als Dielektrikum wird Siliciumdioxid (Si02) mit geringer Dicke (meist kleiner als 100 nm) benutzt. Das Gate kann aus Metall oder polykristallinem Sili-cium bestehen (Metall-Gate-Technik, Silicium-Gate-Technik). M. werden in Planartechnik hergestellt. Neben dem Einsatz von M. als reine p-Kanal- oder n-Kanal-Transistoren gewinnt zunehmend der Einsatz komplementärer Paare beider Typen in IS an Bedeutung (CMOS-Technik). Ein spezieller M. mit einer vertikalen Anordnung des f Kanals ist der VMOS-Transistor. Elektronik, Halbleiterphysik, Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOS-Feldeffekttransistor.

 

<< vorhergehender Begriff
nächster Begriff >>
Moser
motional narrowing

 

Diese Seite als Bookmark speichern :

 

Weitere Begriffe : Abnahme | Epoxidharz | effektive Äqivalentdosis

Übersicht | Themen | Unser Projekt | Grosse Persönlichkeiten der Technik | Impressum | Datenschutzbestimmungen