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Avalanche-Diode

Lawinen-Diode. pn-Diode, bei der der Avalanche-Effekt ausgenutzt wird. Die A. wird in Sperrichtung (Sperrbereich) betrieben. Durch sie fließt nach dem Durchbruch, selbst bei Zurücknahme der Spannung weit unter die Durchbruchspan-nung UD, infolge des Avalanche-Effekts (Ladungsträgervervielfachung) ein starker Strom. Das führt zu einem negativen diffe-rentiellen Widerstand, der zur Schwingungserzeugung bzw. Entdämpfung und Verstärkung, insbesondere in der Mikrowellentechnik genutzt wird. A. werden auch zur Spannungsstabilisierung eingesetzt (Z-Diode). Spezielle A. sind die IMPATT-Diode, TRAPATT-Diode und die Avalanche-Fotodiode. stossspannungsfeste Diode, eine pin-Diode, bei der durch eine besondere Schrägung des Sperrschichtrandes die Spannungsfestigkeit der Randzone gegenüber dem Volumen erhöht wird. Dadurch verteilt sich bei kurzzeitigen Überspannungen der reversible Lawinendurchbruch auf die ganze Fläche der Kontaktzone, so dass eine Zerstörung der Diode vermieden wird.

 

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Avalanche-Effekt

 

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