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TRAPATT-Diode

Engl. Abk. für trapped plasma avalanche trig-gered transitdiode, mittels ein gefangenen Plasmas lawinengesteuerte Laufzeit-Diode. Spezielle IM PA TT-Diode, bei der ein besonderer Schwingungsmodus technisch genutzt wird. Das Dotierungsprofil und die Höhe der Sperrspannung werden so gewählt, daß im gesamten hochohmigen n-Gebiet der Avalanche-Effekt auftritt und sich dort ein Plasma aus. Elektronen und Löchern (Defektelektronen) ausbildet. Das Plasma bewirkt, daß die Spannung zusammenbricht, so daß die Stoßionisation nicht mehr stattfindet, aber ein hoher Strom fließt. Sind die Ladungsträger aus dem n-Gebiet abgewandert, steigt die Spannung wieder an, und der Prozeß beginnt von neuem. Bei den T. sind also im Gegensatz zum normalen Betriebsmodus einer IMPATT-Diode beide Ladungsträgerarten beteiligt, deren Geschwindigkeit aber wesentlich geringer ist, wodurch mit T. nur Schwingungen bis zu einigen Gigahertz erzeugt werden können. Der Wirkungsgrad der T. ist allerdings viel höher als im Normalbetrieb der IMPATT-Diode. Elektronische Schaltung zur Erzeugung einer notwendigen elektrischen Steuerleistung oder eines entsprechenden Signalpegels, um die Eingänge der folgenden elektronischen Schaltungen ausreichend ansteuern zu können. In der Analogtechnik sind die T. Verstärkerstufen, die analoge Signale mit einer zur Ansteuerung von Leistungsverstärkern notwendigen Leistung erzeugen. In der Digitaltechnik verstärkt man die digitalen Eingangssignale durch die T. soweit, daß z. B. Bauelemente unterschiedlicher Schaltungsfamilien einander pegelmäßig angepaßt und oder die Verluste auf langen Signalwegen ausgeglichen werden (Leitungstreiber, Bustreiber).

 

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Weitere Begriffe : Skalarfeld | radioaktiver Abfall | superschwache Wechselwirkung

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