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BIMOS-Technik

Engl Abk. für bipolar metal oxide semiconductor. Bipolar-MOS- Bauelementestruktur. MOSBi. Andere Bezeichung B1GFET (engl. bipolar insulated gate field effect transistor. Bipolar-IG FET-Bauelementestruktur. Bau elementemischtechnik, bei der Bipolartransi stören mit MOSFETmonolithisch integriert sind. In der B. können sowohl npn- und pnp-Tran-sistoren (Transistor, bipolarer) als auch n-Kanal- und p-Kanal-MOSFET sowie CMOS-Strukturen jeweils miteinander auf dem gleichen Chip kombiniert sein. Ziel ist hierbei, die Eigenschaften der Gesamtschaltung dadurch zu optimieren, daß die spezifischen Vorzüge der verschiedenen Bauelementetechniken gezielt ausgeschöpft werden (hoher Eingangswiderstand der MOS-Transistoren, hohes Verstärkungs-Bandbreite-Produkt und geringer Ausgangswiderstand der Bipolartransistoren). Die B. wird insbesondere bei Operationsverstärkern und Analog-Digital-Wand-lern, aber auch für Breitband- und Gegen-taktverstärker, SpannungsreglerTreiber-IS mit einer hohen Spannungsfestigkeit (bis zu 500 V) angewendet.

 

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