A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

Techniklexikon.net

Ausgabe

Techniklexikon

BIMOS-Technik

Autor
Autor:
Karl-Wilhelm Steinfieber

Engl Abk. für bipolar metal oxide semiconductor. Bipolar-MOS- Bauelementestruktur. MOSBi. Andere Bezeichung B1GFET (engl. bipolar insulated gate field effect transistor. Bipolar-IG FET-Bauelementestruktur. Bau elementemischtechnik, bei der Bipolartransi stören mit MOSFETmonolithisch integriert sind. In der B. können sowohl npn- und pnp-Tran-sistoren (Transistor, bipolarer) als auch n-Kanal- und p-Kanal-MOSFET sowie CMOS-Strukturen jeweils miteinander auf dem gleichen Chip kombiniert sein. Ziel ist hierbei, die Eigenschaften der Gesamtschaltung dadurch zu optimieren, daß die spezifischen Vorzüge der verschiedenen Bauelementetechniken gezielt ausgeschöpft werden (hoher Eingangswiderstand der MOS-Transistoren, hohes Verstärkungs-Bandbreite-Produkt und geringer Ausgangswiderstand der Bipolartransistoren). Die B. wird insbesondere bei Operationsverstärkern und Analog-Digital-Wand-lern, aber auch für Breitband- und Gegen-taktverstärker, SpannungsreglerTreiber-IS mit einer hohen Spannungsfestigkeit (bis zu 500 V) angewendet.

Vorhergehender Fachbegriff im Lexikon:

Nächster Fachbegriff im Lexikon:

Techniklexikon.net

Das freie Technik-Lexikon. Fundierte Informationen zu allen Fachgebieten der Ingenieurwissenschaften, für Wissenschaftler, Studenten, Praktiker & alle Interessierten. Professionell dargeboten und kostenlos zugängig.

Techniklexikon
Physik studieren

Modernes Studium der Physik sollte allen zugängig gemacht werden.