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E2PROM

Engl. Abk. für electrically erasable program-mable read only memory, elektrisch löschbarer, programmierbarer Nur-Lese-Speicher). EAROM. Elektrisch löschbarer Halbleiter-Festwertspeicher. In der Elektronik: Die Speicherzelle eines modernen EL ist entweder eine Eintransistor-Speicherzelle mit Floating Gate oder besteht aus zwei Transistoren, von denen einer ein Floating Gate hat. Sie können die Information (Ladung) über einen Zeitraum von mehr als 10 Jahren speichern. Jede Speicherzelle kann einzeln umprogrammiert werden. Die Schaltungen zur Erzeugung der Programmier- und Löschsignale (derzeitig 20... 30 V) sind bei modernen E. mit auf dem Chip integriert. Der E. kann somit zum Löschen und Programmieren auf der Leiterplatte verbleiben. Aufgrund der hohen Flexibilität dieses Speichertyps laufen intensive Bemühungen zur Erhöhung der derzeitigen Speicherkapazität von 16 Kbit (teilweise auch schon 65 Kbit) und zur Reduzierung der Herstellungskosten.

 

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EA-IS

 

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