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Eintransistor-Speicherzelle

Speicherzelle, die nur aus einem Transi stör besteht. Die E. wird bei den DRAM dadurch gebildet, daß ein MOSFET zur Programmierung der Zelle einen integrierten Kondensator (Kondensator, integrierter) auflädt. Der Kondensator ist das eigentliche Speicherelement. Zu seiner Ansteuerung beim Einschreiben oder Auslesen der Information wird zusätzlich der Transistor benötigt. Kondensator und MOSFET bilden eine Funktionseinheit. Es gibt vielfältige technologische Varianten dieser Zelle, teilweise auch, um die benötigte Zellenfläche auf dem » Chip zu minimieren unter Ausnutzung vertikaler Strukturen durch die VMOS-Tech-nik. Modernste Zellen dieser Art benötigen weniger als 100 m2 Chipfläche. Bei den EPROM und E2PROM werden teilweise SI MOS-Transistoren, die ein Floating Gate haben, als E. angewendet. Im weitesten Sinn gehören auch die durch einen Transistor aufgebauten Speicherzellen der ROM und PROM zu den E.

 

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