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Entwickeln

Teilschritt der Lithografie, der die beim Belichten hervorgerufene Änderung der Löslichkeit des Resists im Entwickler zur Herstellung der Lackmaske ausnutzt. Beim E. werden die belichteten (Positivresist) bzw. unbelichteten (Negativresist) Gebiete einer Resistschicht herausgelöst. Das E. geschieht im einfachsten Fall durch Tauchen des Wafers in den Entwickler. Bei höheren Anforderungen an die Maßhaltigkeit der Lackmaske und an die Reproduzierbarkeit werden Sprühverfahren eingesetzt.

 

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