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Resist

Engl., das Widerstehende. Substanz, die sich auf einem Wafer in einer dünnen Schicht aufbringen läßt und aus der sich mit Hilfe von Licht-, Elektronen-, Röntgen- oder Ionenstrahlen im Prozeß der » Lithografie eine Maske herstellen läßt. Die gegenwärtig in der Fertigung verwendeten R. basieren auf organischen Verbindungen und werden als Lacke bezeichnet. Voraussetzung für den Einsatz eines R. ist, daß er auf dem Wafer einen gut haftenden Film bildet, eine genügend hohe Strahlungsempfindlichkeit besitzt, sich reproduzierbar mit geringem Fremdstoffgehalt herstellen läßt und seine Eigenschaften während der Lagerung nicht ändert. Außerdem muß er den im Fertigungsprozeß wirkenden Medien (z. B. Säuren und Ätzgase) und Strahlungen (z. B. bei der Ionenimplantation) widerstehen. Bezüglich ihrer Arbeitsweise werden Positiv-und Negativ-R. unterschieden. Bei Positiv-R. bleibt nach dem Belichten und Entwickeln der unbelichtete Teil der Schicht stehen, bei Negativ-R. der belichtete. Im allgemeinen widerstehen Negativ-R. besser aggressiven Medien, während Positiv-R. eine höhere Auflösung (minimale Strukturgröße) haben und sich einfacher handhaben lassen. Die ältesten im Fertigungseinsatz befindlichen R. sind die für UV-Licht empfindlichen Fotolacke. In Entwicklung befinden sich anorganische R. und durch Erwärmen oder Trockenätzen entwickelbare R.

 

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