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Halbleiterepitaxie

orientiertes Kristallwachstum auf einem einkristallinen Substrat, CVD-Beschichtungsverfahren (Chemical Vapor Deposition) in der Halbleitertechnik.

Epitaxie ist für ein und denselben Stoff (Homoepitaxie) wie auch für unterschiedliche Stoffe möglich (Heteroepitaxie). Sie kommt entweder bereits durch eine orientierte Keimbildung oder durch eine Umorientierung der Keime zustande. In der Halbleitertechnik gilt die Halbleiterepitaxie als gebräuchlichste Technologie zur Herstellung von einkristallinen Siliciumschichten. Heutige Standardverfahren nutzen die Gasphasenepitaxieim Normal- und im Niederdruckmodus. Bei der Flüssigphasenepitaxie (LPE) schlägt sich die epitaktische Schicht aus einer Flüssigkeit auf dem Substrat nieder. Die Molekularstrahlepitaxie (MBE) nutzt eine Verdampfungstechnik, wobei ein oder mehrere thermische Atomstrahlen unter UHV-Bedingungen mit der Substratoberfläche reagieren.

 

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