Implantationsprofil

Verteilung der Dotanten im Halbleiter, die bei der Ionenimplantation durch Streuung und Abbremsung der beschleunigten Ionen an den Kristallatomen entsteht und das Dotierungsprofil mitbestimmt.

Das typische I. einer Einfachimplantation zeigt Kurve 1. Durch Mehrfachimplantation, d. h. mehrere Implantationen mit verschiedenen Ionenenergien, können nahezu beliebige I. erzeugt werden. Beim Ausheilen verteilen sich die Dotanten in die Kristalltiefe. Bei Implantation in bestimmte Kristallrichtungen kommt es zu Überreichweiten (Kurve 2), die jedoch schwierig zu reproduzieren sind.

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