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Ausheilen

Verfahren, bei dem durch Energiezufuhr bei der Ionenimplantation entstandene Strahlenschäden durch Rekristallisation des Einkristalls und elektrische Aktivierung der Dotanten (Einbau auf Gitterplätzen) besei tigt werden. Die Energiezufuhr kann durch Elektronenstrahlung, Ionenstrahlung, Lichtstrahlung (Blitzlampen- und Laser-Ausheilen) oder im Diffusionsofen (thermisches A.) erfolgen. Das thermische A. wird meist mit Diffusionsschritten (Diffusionsverfahren) oder der Oxydation kombiniert. Die Dotanten können bei entsprechender Prozeßführung vollständig aktiviert werden. Die Dotantenkon-zentration wird durch die thermische Löslichkeit (Diffusion) begrenzt. Die meist beträchtliche Verbreiterung und Verflachung des Implantationsprofils erschwert den Einsatz des thermischen A. für VLSI. Um eine Zersetzung des Materials zu verhindern, werden Verbindungshalbleiter meist mit Deckschichten (z. B. Siliciumnitrid) ausgeheilt.

 

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