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indirekte Halbleiter

Halbleiter mit indirekter Bandlücke (Energielücke), d.h. mit indirektem optischem Absorptionsprozess: Die Leitungsbandkante (Bändermodell) hat bei derartigen Halbleitern ihre Energieminima nicht bei dem Wellenvektor-Wert k, an dem die Valenzbandkante ihr Energiemaximum hat. Dies bedeutet, dass optische Absorptionsprozesse hierbei stets die Beteiligung von Phononen erfordern: Die Absorption eines Photons mit der Energie indirekte Halbleiterw ist hier stets verbunden mit der Absorption (oder Emission) eines Phonons mit der Energie indirekte HalbleiterW. Damit gilt also für einen solchen indirekten optischen Übergang eines Elektrons indirekte Halbleiterw = Eg + indirekte HalbleiterW, wobei Eg die Bandlücke ist. Die hier auftretenden Phononenergien (typische Grössenordnung 10-2 eV) sind i.a. wesentlich kleiner als die Bandlücke (typische Grössenordnung 1 eV).

 

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