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Ionenstrahlätzen

Verfahren des Trockenätzens, bei dem Ionenquelle und Wafer räumlich getrennt sind. Der Ionenstrahl wird in einer vom Ätzraum getrennt angeordneten lonenquelle mit Hilfe einer Gasentladung (z. B. Argon) erzeugt. Die auf dem Wafer auftreffenden Ionen schlagen aufgrund ihrer hohen Energie Atome aus der Waferoberfläche heraus. Dieses Verfahren wird auch ion milling (Ionenfräsen) genannt. Eine Verbesserung der Selektivität (Verhältnis der Ätzgeschwindigkeit verschiedener Stoffe) und eine Erhöhung der Ätzgeschwindigkeit erreicht man durch Zufuhr reaktiver Gase in die lonenquelle (reaktives I.) oder in den Ätzraum (chemisch unterstütztes I.). Da das I. nur geringe Unterätzungen (Ätzverfahren) liefert, gewinnt es mit der Verkleinerung der Strukturen an Bedeutung. Ionenätzen.

 

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