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Trockenätzen

Ätzverfahren, bei denen der Materialabtrag mit Hilfe von angeregten Gasen, beschleunigten Ionen oder deren Kombination bewirkt wird. Aufgrund der besseren Kontrollierbarkeit und der Möglichkeit, auch resistente Materialien wie Siliciumnitrid zu ätzen, gewinnt das T. an Bedeutung. Da bei einigen Verfahren die Unterätzung (Ätzverfahren, Bild b) vermieden wird, ist der Einsatz des T. eine Voraussetzung für die Verringerung der Strukturgrößen ( VLSI). Man unterscheidet plasmachemisches, Ionenätzen und Ionenstrahlätzen. Das plasmachemische Ätzen kann sowohl in einem Rohrreaktor als auch in einem Pianarreaktor erfolgen. Bei hohen Drücken (100 Pa) überwiegt das Ätzen der durch eine Hochfrequenzentladung angeregten und teilweise ionisierten Gase. Verringert man in einem Pianarreaktor den Druck und legt den Wafer auf eine Gleichspannung, so wächst der Anteil durch beschleunigte Ionen. Atome werden durch die Ionen herausgeschlagen. Der Abtrag wird dadurch gerichteter, und die Unterätzung verringert sich. Bei Verwendung von reaktiven Gasen spricht man vom reaktiven Ionenätzen. Beim Sputterätzen im Argonplasma z. B. erfolgt der Abtrag nur durch Ionen.

 

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