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Kurzkanal-Technik

Zusammenfassende Bezeichnung fiir eine Reihe spezieller Ausführungsformen der NMOS-Technik, die auf eine Verkürzung des Kanals gerichtet sind. Die Kanallänge (bzw. Gatelänge Lg) hat bei allen «# Feldeffekttransistoren einen entscheidenden Einfluß auf ihre dynamischen Eigenschaften. Sie beträgt üblicherweise 5 bis 8 m (Langkanal-Transistoren). K. mit It < 2 m bilden jedoch eine notwendigen Voraussetzung, um höchstmögliche Integrationsgrade zu erreichen (M> VLSI). Dabei sind zwei grundsätzlich verschiedene Zugänge möglich: 1. Verkleinerung der Kanalabmessungen auf Lg= 1... 2m unter Beibehaltung der Abmessungen der Lateralstrukturen, d. h. mit herkömmlichen Verfahren für Fotolithografie und Strukturierung, wobei spezifische Bauelementekonzepte zugrunde gelegt werden. Beispiele dafür sind die VMOS-Technik und die DMOS-Technik (engl. double-diffused MOS), bei der eine kurze Kanallänge durch eine vertikale (manchmal auch laterale) Kanalanordnung mittels p-n-Doppeldiffusion erzielt wird. 2. Verkleinerung der gesamten Lateralstruktur üblicher N MOS-Ausführungsformen durch Skalierung (engl. scal-ing down) und Übergang zu modernen VLSI-gerechten Verfahren der Strukturierung. Wichtigstes Beispiel dafür ist die HMOS-Technik..

 

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