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HMOS-Technik

Engl. Abk. für high Performance MOS, Hoch leistungs-MOS-Technik. Spezielle Kurzka nal-Technik, der eine Skalierung der NMOS-Technik zugrunde liegt. Die H. entstand aus der objektiven Forderung nach Höchstintegration (VLSI; » Gesetz, Mooresches). Während übliche NMOS-Transistoren Gatelängen Lg zwischen 5 und 8 m aufweisen, haben skalierte MOSFET nur noch 1 bis 2 m lange Kanäle. Die Herstellung derartiger Lateralstrukturen erfordert spezielle, hochentwickelte Belich-tungs- und Strukturierungsverfahren (wie Elektronenstrahl-Lithografie, physikalische Ätzverfahren usw.) und zieht auch verkleinerte Vertikalstrukturen nach sich. Sie stellt einerseits sehr hohe Ansprüche an den gesamten Fertigungsprozeß (Zyklus), andererseits weisen die damit gefertigten MOS-IS wesentlich höhere Packungsdichten, geringere Gatter-Verzögerungszeiten und Gatter-Verlustleistungen auf.

 

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