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Magnetronsputtern

eine besonders effektive Methode des Sputterns, d.h. des Abtragens von Atomen durch Beschuss eines Targets mit Ionenstrahlen. Diese entstehen durch Stösse zwischen Elektronen und dem Sputtergas, i.a. Argon. Beim Magnetronsputtern wird in der Nähe des Targets ein parallel dazu gerichtetes Magnetfeld und senkrecht dazu ein elektrisches Feld erzeugt. Elektronen in der Nähe des Targets werden so zu einer spiralförmigen Bewegung entlang der Targetoberfläche gezwungen. Die Erzeugung von Ionen wird dadurch stark erhöht und auf einen Bereich nahe der Targetoberfläche beschränkt. Auf diese Weise kann selbst bei Ar-Drücken um 10-2 Pa eine grosse Anzahl an Ionen erzeugt werden. Der geringe Druck reduziert gleichzeitig die Wahrscheinlichkeit, dass die gesputterten Atome an den Ionen der Gasentladung gestreut werden. Magnetronsputtern kommt bei der Herstellung dünner Filme (unter einigen hundert Nanometern) zum Einsatz, insbesondere bei den Übergangsmetallen, welche aufgrund ihres geringen Dampfdrucks nicht in ausreichenden Mengen durch Widerstandsheizungen oder Elektronenbeschuss verdampft werden können.

 

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