Planar-Epitaxie-Technik
Epitaxie-Planar- Technologie. Weiterentwicklung der Planartechnik durch Einbeziehung von Epitaxieverfahren.
Die Einbeziehung epitaktisch abgeschiedener, dotierter Halbleiterschichten erweitert die Möglichkeiten der ursprünglichen Pla-nar-Diffusions-Technik ganz beträchtlich. Vor allem in der integrierten Bipolartechnik wird durch die Erzeugung niederohmig begrabener Gebiete (Gebiet, begrabenes) eine höhere Flexibilität im Schaltungsentwurf und in der Bauelementeauslegung erzielt. Mit Epitaxieschichten hergestellte diskrete Bipolartransistoren weisen z. T. wesentlich bessere Parameter als vergleichbare diffundierte Transistoren auf. Für bestimmte bipolare Schaltungskonzepte, wie PL, ist die Herstellung von niederohmigen Epitaxieschichten geradezu eine Wirksamkeitsvoraussetzung.
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