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PROM

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Irene Kramer-Schwenk

Engl. Abk. für programmable read only mem-ory, programmierbarer Nur Lese-Speicher. Nicht löschbarer Halbleiter-Festwertspeicher, der vom Kunden (Anwender) selbst pro grammiert werden kann. Die Speicherzellen des P. bestehen aus niederohmigen Widerständen (wie beim ROM meist durch Transistoren realisiert). Das gewünschte Bitmuster wird mittels Durchbrennens (oder nicht) von bestimmten dafür vorgesehenen Punkten durch hohe Stromimpulse erzeugt. Man erhält durch das Durchbrennen einen hochohmigen Zustand der jeweiligen Speicherzelle. Zur Programmierung wird ein spezielles Programmiergerät benötigt. Der P. muß vor Einsatz in die Schaltung gesondert programmiert werden. Es besteht nur eine sehr beschränkte Möglichkeit der Umprogrammierung - das Durchbrennen zusätzlicher Punkte. Eine Wiederverbindung einmal getrennter Leitungen ist nahezu unmöglich. Der Einsatz von P. wird durch die ständige Weiterentwicklung der EPROM und E2PROM aufgrund der höheren Flexibilität dieser Speicher zurückgedrängt. Die derzeitig max. verfügbare Speicherkapazität liegt bei 64 Kbit.

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