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Röntgenstrahllithographie

Elektronik, Halbleiterphysik, lithographisches Verfahren (Lithographie), das zur Belichtung eines photoempfindlichen Lackes Röntgenstrahlung aus z.B. einem Synchrotron einsetzt. Wegen der kurzen Wellenlänge von Röntgenstrahlen (4-50 Å) können Effekte der Beugung reduziert und damit im Vergleich zu optischer Lithographie deutlich höhere lithographische Auflösungen erreicht werden. Im Bereich der Röntgenstrahlung existieren allerdings kaum technologisch verwertbare optische Komponenten wie Linsen oder Hohlspiegel, deshalb muss im allgemeinen eine 1:1-Schattenprojektion der Maske auf das Substrat verwendet werden. Die hohe Strahlparallelität technischer Röntgenquellen erweist sich hierbei allerdings als sehr hilfreich. Ein technologischer Nachteil der Röntgenlithographie besteht in den hohen Anforderungen an die lithographischen Masken. Röntgenmasken bestehen im allgemeinen aus sehr dünnen Membranen (ca. 10 mm) eines Elements mit niedriger Ordnungszahl (z.B. Bornitri), auf die die gewünschte Struktur durch Goldbedampfung aufgebracht wird. Röntgenmasken sind sehr empfindlich und sehr anfällig gegen Verbiegung und Verzerrungen, weshalb die Maskenfenster nur einige zehn Mikrometer Kantenlänge haben dürfen und die Belichtung in einem »step-and-repeat«-Prozess ablaufen muss.

 

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