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Schottky-TTL

Schaltungsfamilie der TTL, die durch den Einsatz von Schottky-Dioden die Schaltzeiten (Gatter-Verzögerungszeiten) vermindert Die Schaltungsstruktur der S. (Kennbuchstabe in der Typenbezeichnung meist S) ist vergleichbar der von High-Speed-TTL. Parallel zu den Basis-Kollektor-Diodenstrek-ken der Transistoren sind jedoch Schottky-Dioden angeordnet, die eine Übersteuerung der Transistoren verhindern. Dadurch entfallen die zusätzlich abzuführenden Ladungsträger ( Logik, ungesättigte), und die Gatter-Verzögerungszeiten werden geringer (3 ns gegenüber 6 ns bei High-Speed-TTL). Da die Dimensionierung beider Schaltungsfamilien ähnlich ist, ist auch der Leistungverbrauch ähnlich (19 mW je Gatter bei S. gegenüber 22 mW je Gatter bei High-Speed-TTL). S. Schaltungen werden dort eingesetzt, wo die Verarbeitungsgeschwindigkeit die dominierende Rolle spielt. S. haben die High-Speed-TTL heute, verdrängt, da sie bei ähnlichem Leistungsverbrauch nur die halbe Gatter-Verzögerungszeit benötigen.

 

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Schotwinde

 

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Weitere Begriffe : Axion | Oberflächen-Doppel-Schicht | Hauptausdehnungskoeffizienten, thermische

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