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SOS-Technik

Engl. Abk. für Silicon on sapphire, Silicium auf Saphir. ESFI-Technik (engl. Abk. für epitaxial Silicon films on insulator, Silicium-Epitaxie schichten auf Isolator), Sondervariante der Halbleiterblocktechnik, bei der Halbleiter Schichtherstellung und Isolationstechnik miteinander kombiniert sind. Bei der S. werden einkristalline Schichten aus Silicium (Si) mittels Epitaxie auf einkristallinen Substraten aus Saphir abgeschieden. Dieses isolierende Substrat verringert den Einfluß parasitärer Kapazitäten (Kapazität, parasitäre) ganz erheblich, außerdem können die einzelnen innerhalb der Si-Schicht hergestellten Funktionselemente relativ einfach mittels Trennfugen-Luft-Isolation (Isolation, dielektrische) voneinander abgegrenzt werden. Nachteilig sind die höheren Substratkosten und der erforderliche technologische Aufwand im Zyklus 0. Die S. wird insbesondere in Verbindung mit der CMOS-Technik (CMOS-SOS) für die Herstellung sehr schneller und extrem leistungsarmer digitaler IS (IS, digitale) angewendet (Mikroprozessoren, Halbleiterspeicher, Logikschaltungen).

 

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