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Struktur dreidimensionale

Dreidimensionale Bauelemente. Integrierte Bauelemente, bei denen die Integration auch in die Substrattiefe erfolgt. Während die gegenwärtigen monolithisch integrierten Schaltungen (IS, monolithische) dadurch gekennzeichnet sind, daß bei ihnen die Integration praktisch nur in einer Ebene parallel zur Oberfläche des Chips erfolgt und i.allg. höchstens 10 m tief in das Substrat hineinreicht, wird in d. S. die Richtung senkrecht zur Oberfläche ebenfalls für die Integration genutzt. Bislang existieren nur vereinzelte Ansätze zur Realisierung von derartigen Bauelementestrukturen in mehreren Ebenen. Beispiele dafür sind: I2L, ISL und verwandte Bauelementekonzepte, die z.T. örtlich verschmolzene vertikale und laterale Transistoranordnungen verwenden; Ein-transistor-Speicherzellen bei y DRAM, wo der Speicherkondensator über dem Transistorschalter angeordnet ist, p- und n-Kanal-FET bei der CMOS-Technik, die übereinander liegen, sowie kombinierte Schaltungen in der integrierten Optoelektronik (IOEC). In Verbindung mit der SOI-Technik gewinnen d. S. zunehmend an Bedeutung für die Vertikalintegration.

 

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