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Beam-Lead-Technik

Engl. beam lead, Stegleiter. Spezielle Form der dielektrischen Isolation (Isolation, dielektrische) in der Halbleiterblocktechnik. Die Funktionselemente der integrierten Schaltungsanordnung werden durch völliges Wegätzen des zwischen ihnen liegenden Substrats getrennt (Luftisolation). Die metallischen, galvanisch verstärkten Leitbahnen bilden den Träger für die Funktionselemente. Die Leitbahnen, die die Anschlüsse des Chips bilden, werden etwas über die Kante des Chips hinweg verlängert (beam lead). Damit eignen sich diese Beam-Lead-Chips besonders gut für die Montage in der Multichip-Hybridtechnik, bei der sie meist mittels Thermokompressionsbonden direkt in das Verbindungsschema des Trägers (Schichtschaltung) eingesetzt werden. Die Montage der Beam-Lead-Chips ist wie bei der Flip-Chip-Technik eine Face-Down-Montage (engl. face down, Gesicht nach unten). Sämtliche Verbindungen eines Chips mit dem Träger können in einem Arbeitsgang hergestellt werden (Simultanbonden). Die B. hat den Vorteil, daß parasitäre Kapazitäten und Induktivitäten wegen der Luftisolierung sehr gering sind. Deshalb werden mittels der B. hergestellte Bauelemente besonders in der Mikrowellentechnik eingesetzt.

 

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