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Schichtschaltung

Filmschaltung. Integrierte Schaltung f IS), bei der die einzelnen Funktionselemente, vorrangig Widerstände, Spulen und Kondensatoren, sowie die Leiterzüge in Form von ein-und mehrlagigen Schichten auf einem isolie renden Träger erzeugt werden. Die Abscheidung der Schichten kann durch verschiedene Techniken (Aufdampftechnik, anodische Sputtertechnik, Oxydation, Siebdruck) erfolgen. Es werden sowohl leitende, halbleitende als auch isolierende Schichten ein- und mehrlagig in dünnen und dicken Schichten auf dem Substrat abgeschieden, um die erforderlichen Funktionselemente zu erzeugen. Als Substrat dienen Glas oder Keramik, meist Al203-Keramik. Ist die Schichtdicke kleiner als 1 m, spricht man von Dünnschichtschaltungen; bei Dicken wesentlich größer als 1 m von Dickschichtschaltungen. Die typischen Schichtdicken liegen zwischen 10 und einigen lOOnm bei den Dünnschichten und zwischen 10 und 50 m bei den Dickschichten. Da es bis heute nicht gelungen ist, stabile aktive Funktionselemente, wie Transistoren und Dioden, in einer der Schichttechniken herzustellen, setzt man aktive diskrete Bauelemente (Bauelement, diskretes) und monolithisch erzeugte IS (IS, monolithische) nachträglich in die S. ein und erhält so Dünnschicht- bzw. Dickschicht-Hybridschaltungen.

 

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