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Burstein-Effekt

Burstein-Moss-Verschiebung, die nach E. Burstein benannte Verschiebung der Absorptionskante von Halbleitern zu höheren Energien (d.h. kleineren Wellenlängen) durch starke Dotierung mit Fremdatomen. Direktübergänge vom oberen Rand des dicht besetzten Valenzbands in den unteren Rand des leeren Leitungsbands können durch starke Dotierung verhindert werden, indem z.B. die Unterkante des Leitungsbands von Donatortermen besetzt, die Unterkante des Leitungsbandes in Akzeptorterme entleert wird. Dadurch verbreitert sich der Bandabstand, d.h. mit der entsprechenden Energie emittierte oder absorbierte Photonen müssen entsprechend kurzwelliger sein.

 

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Burster

 

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