A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

 

 

Chip-Carrier-Gehäuse

Abk. CC-Gehäuse. Quadratisches Gehäuse für IS, bei dem sich an allen vier Seiten Kontakte befinden. C. gibt es als Plast- und Keramikgehäuse mit einer im Bild a dargestellten typischen Form. Plast-C. können sowohl vorgeformte Gehäuseteile haben (engl. pre mold, Vorform) als auch, wie normalerweise bei Plastgehäusen üblich, durch nachträgliches Umgießen oder Umspritzen des gebondeten Chips (Drahtbonden) gebildet werden (engl. post mold, nachträgliche Formgebung). Die meisten Plast-C. haben Anschlußfahnen, die sowohl für eine herkömmliche Montage als auch für die Aufsetztechnikausgelegt sein können, wobei sich für höherpolige Gehäuse die unter das Gehäuse gebogenen Anschlußfahnen nach Bild d durchgesetzt haben (engl. leaded chip carrier). Keramik-C. werden überwiegend mit Kontaktflächen (Metallisierungen) am Gehäuseboden und den Seiten hergestellt (engl. leadless chip carrier). Der Rasterabstand der Kontakte beträgt typisch 50 mil (1,27 mm) bzw. 40 mil, bei hochpoligen Keramik-C. auch teilweise 25 mil bzw. 20 mil. Die C. haben gegenüber den Dual-InLine-Gehäusen verschiedene Vorteile: verringerte Abmessungen, Anzahl der Anschlüsse größer als 64 problemlos möglich, Oberflächenmontage möglich, verbesserte elektrische Eigenschaften durch fast gleich lange Bonddrähte (bei einem 64poligen DIL-Gehäuse ist z. B. das Verhältnis von kürzestem zu längstem Bonddraht 1:8, was zu unterschiedlichen Laufzeiten führt). Die C. gewinnen deshalb neben den DIL-Gehäusen für eine Anzahl der Anschlüsse größer als 20 zunehmend an Bedeutung.

 

<< vorhergehender Begriff
nächster Begriff >>
Chip Select
Chipbauelement

 

Diese Seite als Bookmark speichern :

 

Weitere Begriffe : Schräglauf | Himmelsäquator | Zwischenwässern

Übersicht | Themen | Unser Projekt | Grosse Persönlichkeiten der Technik | Impressum | Datenschutzbestimmungen