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Gehäuse

Halbleiterbauelemente G. Geschlossene Umhüllung eines « Halbleiterbauelements, die dieses gegen Umwelteinflüsse schützt und die für das Bauelement benötigten Anschlüsse trägt. Das Umhüllen des Chips (oder ggf. mehrerer), das sog. Verkappen, bildet den letzten großen Prozeßschritt des Zyklus II: Aus dem Chip wird ein Bauelement. Der Grad des Schutzes gegen störende Umwelteinflüsse hängt stark vom verwendeten G. werkstoff und der dazugehörigen Verschlußtechnik ab. Man unterscheidet hermetische G. und pseudohermetische G. (Keramikgehäuse, Metallgehäuse) sowie nichthermetische G. (Plastgehäuse). Diskrete Halbleiterbauelemente (Bauelement, diskretes) werden sowohl in Rund-G. als auch in Flach-G. meist aus Metall oder Plast hergestellt. Für integrierte Schaltungen (IS) sind die Dual-In-Line-G. mit bis zu 64 Anschlüssen am gebräuchlichsten. Bei höherer Anzahl der Anschlüsse kommen Chip-Carrier-G. bzw. Pin-Grid-G. zum Einsatz. Zunehmend werden auch schon Chip-Carrier-G. ab 20 Anschlüsse eingesetzt. Miniaturisierte Bauformen, insbesondere für den Einsatz in der Hybrid-Technik, sind die SO-Gehäuse (engl. Abk. für small outline, geringe Außenabmessungen) für Transistoren als SOT-G. und für IS als SO-IC-G. Flat-Pack-G. und Strip-Line-G. sind Bauformen für spezialisierte Einsatzfälle.

 

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