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Plastgehäuse

Gehäuse aus Kunststoff für den allgemeinen Einsatz bei Halbleiterbauelementen. P. werden durch Gieß- bzw. Spritzpreßtechniken hergestellt und umhüllen das auf dem Trägerstreifen montierte Chip vollständig ohne Hohlraum. Im Gegensatz zu den Keramik- und Metallgehäusen gibt es keine vorgeformten Halbschalen oder Kapseln, sondern der Trägerstreifen wird direkt umgössen oder umspritzt. Eine Ausnahme bilden einige Arten von Chip-Carrier-Ge-häusen. Die eingesetzten Chips müssen gut an ihrer Oberfläche geschützt sein (Passi-vierung), da sie einerseits mit dem Kunststoff direkt in Kontakt kommen und andererseits der Kunststoff keine hermetische Kapselung bildet, da er in gewissem Grad feuchtigkeitsdurchlässig ist. Dadurch erreichen die Bauelemente im P. auch nicht einen so hohen Arbeitstemperaturbereich wie die in Keramikoder Metallgehäusen, sondern nur typische Werte von 0 bis 70 °C. Als Werkstoffe werden Epoxidharze, duroplastische Silicone und Polyurethan verwendet. Die teilweise durch aus dem Plastwerkstoff austretende a-Teilchen hervorgerufenen soft errors (engl., weiche Fehler), die besonders bei hochintegrierten IS (insbesondere bei Speichern) fehlerhafte Funktionsweisen hervorrufen können, werden durch Fortschritte auf dem Gebiet der Kunststoffumhüllmassen schrittweise eingedämmt. Gleichzeitig ist man bemüht, den Arbeitstemperaturbereich zu erhöhen. P. bilden heute eine preisgünstige Umhülltechnik für den größten Teil der Halbleiterbauelemente.

 

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