Bipolartransistor (Transistor, bipolarer), dessen Basis durch eine epitaktische Schicht (Epitaxie) gebildet wird. Beim E. wird auf einem stark dotierten Substrat, das den Kollektor bildet, eine Basisschicht umgekehrten Leitungstyps epitaktisch aufgewachsen. In dieser Epitaxieschicht wird der Emitterbereich durch Um-dotierung mittels Diffusion oder Ionenimplantation (Planar-Epitaxie-Technik) erzeugt.
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