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Elektronenstrahl-Lithografie

Mit 10 bis 30 kV beschleunigte Elektronen rufen beim Auftreffen im Resist Strukturveränderungen hervor, die beim Entwickeln die Ausbildung der Lackmaske ermöglichen. Gegenwärtig haben für die Produktion nur schreibende Verfahren (Prinzip der Fernsehröhre) Bedeutung, wobei im Vakuum punkt-förmige oder speziell geformte Strahlen über den Wafer abgelenkt werden. Wegen hoher Anlagenkosten und niedriger Produktivität werden sie meist für die Herstellung von Schablonen für die Projektionsbelichtung eingesetzt. Da die schreibenden Verfahren selbst keine Schablone benötigen, nutzt man sie auch bei der Schaltkreisentwicklung und der Fertigung von Kundenwunschschalt-kreisen. Es ist nur ein begrenztes Arbeitsfeld bestrahlbar, so daß die meisten Geräte nach dem Step-And-Repeat-Verfahren arbeiten. Die projizierende E. (Prinzip der Schattenprojektion einer Schablone) verspricht hohe Produktivität, befindet sich aber noch im Laborstadium. Obwohl die Streuung der Elektronen im Resist und vom Halbleiter zurück (Proximity-Effekt) Probleme bei der Belichtung eng benachbarter Strukturen bereitet, wächst die Bedeutung der E. mit dem Übergang zu Submikrometerstrukturen.

 

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