Inversion

Lat., Umkehrung. 1. Leitungstypinversion. Änderung des Leitungstyps bei der Oberflächen- oder Randschicht eines Halbleiters durch Oberflächenzustände bzw. äußere elektrostatische Felder.

In gleicher Weise wie Oberflächenzustände können elektrische Felder, die auf die Halbleiteroberfläche einwirken, eine Raumladungszone verursachen. Infolge r Ladungsträgerinfluenz bleibt die Dichte der Majoritätsträger in Oberflächennähe erheblich geringer als im Volumen und ist geringer als die Dichte der Minoritätsträger. Dann wird der Leitungstyp in diesem Halbleitergebiet umgekehrt (invertiert), und es kommt zur Ausbildung einer Inversionsschicht.

Diese ist vom neutralen Halbleitervolumen durch eine Verarmungsschicht getrennt. Bei einem p-Halbleiter wird I. z. B. durch eine hohe positive Spannung am Gate erzielt.

2. Besetzungsinversion. Besetzungsumkehr. Umkehr der Besetzung von Energieniveaus in einem Halbleiter.

Üblicherweise sind nach dem Bändermodell die energetisch tiefer gelegenen Niveaus schwächer besetzt als die höher gelegenen Energieniveaus. Durch geeignete Anregung kann eine I. der Besetzung erreicht werden. Diese ist eine wesentliche Voraussetzung für den Betrieb von < Halbleiterlasern.

Free Direct XXX Videos