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Mesatechnik

Mesatechnologie. Span. Mesa, Tafelberg. Verfahren für die Fertigung von diskreten und in tegrierten Halbleiterbauelementen, dadurch gekennzeichnet, daß alle elektrischen Anschlüsse mit Ausnahme des Substratanschlusses auf einer Seite des Chips liegen. Wie in der Planartechnik wird auch in der M. der Halbleiterkristall nur von einer Fläche aus bearbeitet und kontaktiert, so daß weitgehend die gleichen Verfahrensschritte und -ablaufe vorliegen. Der wesentliche Unterschied zur Planartechnik und ihren Varianten besteht darin, daß durch einen selektiven Ätzschritt (Ätzverfahren) eine seitliche Abätzung zur Begrenzung (Isolation) der einzelnen Bauelemente erfolgt. Dadurch entsteht ein Tafelbergaufbau. Demzufolge weisen Bauelemente in M. keine plane (ebene) Oberflächenstruktur auf. Die M. wurde ursprünglich nur bei der Herstellung von diskreten Bauelementen angewendet, insbesondere für Dioden und Germaniumtransistoren. Sie ermöglicht kleine Bauelementestrukturen und somit die Fertigung von bipolaren Mesa-Transistoren mit sehr guten Hochfrequenzeigenschaften, so daß später auch ’ GaAs-FET ausschließlich mit der M. gefertigt wurden. Ein zusätzlicher Vorteil liegt in der einfachen Isolation mehrerer Bauelemente gegeneinander (Isolationstechnik), wenn z. B. in integrierten Schaltungen (IS) auf Basis von Gal-liumarsenid die Tiefenätzung der halbleitenden Schichten bis zum Substrat (Substrat, semiisolierendes) erfolgt. Die Kantenstruktur bringt jedoch erhebliche Probleme bei der Metallisierung von höherintegrierten Schaltungen (Integrationsgrad) mit sich. Darum wird die M. nur für bestimmte Bauelemente genutzt, hauptsächlich bei MMIC, IOEC, Bauelementen der Optoelektronik und HeteroStrukturen (Heterojunction).

 

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