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Heterojunction

Griech. hetero, ungleich; engl. junction, Übergang; Halbleiterübergang, bei dem die Ge biete beiderseits der Grenzfläche Halbleiter Halbleiter aus zwei verschiedenen Halbleiterwerkstoffen bestehen (Gegensatz: Homojunction). Im Energiebandschema sind H. dadurch gekennzeichnet, daß bei ihnen rechts und links von der Grenzfläche unterschiedlich große Bandabstände £gl und £g2 vorliegen, wodurch im Verlauf der Kanten von Valenz- und Leitungsband Diskontinuitäten auftreten. Diese sind eine Folge der unterschiedlichen Eigenschaften beider Halbleiter hinsichtlich Kristallaufbaus und Bandstruktur. Die im Vergleich zum Ho-mojunction damit verbundenen besseren Effekte und Eigenschaften werden in einer Reihe von optoelektronischen Heterostruk-tur-Bauelementen bewußt ausgenutzt. Diese basieren größtenteils auf Mischverbindungen der 111-V-Halbleiter. Wichtige H. bauele-mente sind Halbleiterlaser (Doppelheterostruktur), bestimmte Fotodioden, Fototransistoren und r+ Fotothyristoren. Darüber hinaus werden H. in speziellen Höchstfre-quenzbauelementen angewendet, z. B. beim HEMT, im Heterojunction-Bipolartransi-stor (HJBT) mit Breitbandemitter und im Heterojunction-FET (HJFET).

 

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